1일 서울 신라호텔에서 열린 '2014 삼성 SSD 글로벌 서밋'에서 맹경무 삼성전자 메모리사업부 상무는 "내년에는 V낸드를 모바일 스토리지, 스마트폰, 태블릿에도 확장할 계획을 갖고 있다"고 말했다. 이를 위해 아직 전체 플래시 메모리 생산량의 한자릿수 비중을 차지하고 있는 V낸드 생산량을 대폭 확대할 계획이다.

 

삼성전자는 V낸드의 생산성 향상을 위한 신기술 도입도 고민하고 있다. 특히 내년부터 트리플레벨셀(TLC) 방식의 공정을 V낸드에 적용할 것으로 보인다. TLC 방식은 기존 멀티레벨셀(MLC) 방식의 공정보다 생산성 측면에서 한층 더 유리하다.

 

삼성전자 고위 관계자는 "3비트 기반의 V낸드에 대해서는 별도의 계획을 갖고 있다"며 "아마 조만간 대대적인 TLC V낸드 기술 발표가 있을 것"이라고 말했다. 다만 4비트 기반 낸드플래시(QLC)에 대해서는 "아직 특별한 계획이 없다"는 입장이다.

 

최근 32단으로 향상된 V낸드의 적층수 역시 매년 업그레이드 시킨다는 계획이다. 삼성전자 고위관계자는 "32단 이후부터는 적층수에 대해 구체적인 레이어 숫자를 말하지 않겠지만 매년 3세대, 4세대 식으로 품질의 개선을 명시할 것"이라며 "적층수에 따른 성능 차이는 없다"고 설명했다.