[뉴스토마토 양지윤기자] 삼성전자가 차세대 메모리로 각광받고 있는 저항변화형 메모리(RRAM·Resistive Random Access Memory) 기술 개발에 성공했다.
12일 삼성전자에 따르면 이번에 개발한 RRAM 기술은 '쓰기·지우기' 동작을 기존 플래시 메모리의 100만배에 이르는 1조번을 반복할 수 있다.
삼성전자는 RRAM의 저항변화 물질로 산화탄탈륨(Ta2O5)을 사용했다. 산화탄탈륨을 산소 함량이 다른 2가지 층으로 나눴고, 이 중 한층에만 전류를 흘려주는 필라멘트를 분포했다.
삼성전자는 필라멘트의 분포를 제어하는 RRAM 신기술 개발로 기존 제품보다 뛰어난 내구성을 확보하는 한편 전류량도 감소할 수 있게 됐다고 밝혔다.
또 RRAM은 별도의 트랜지스터가 필요없는 구조로 바꿔 메모리 용량을 늘릴 수 있는 가능성도 제시했다고 설명했다. 기존 RRAM은 트랜지스터와 레지스터를 각각 1개씩 구성하는 구조였다.
삼성전자는 이번 연구 결과가 영국에서 발간하는 학술지 '네이처 머티어리얼즈' 인터넷판(10일자)에 '산화탄탈륨의 비대칭 2중층 구조로 빠른 전환, 고내구성의 고용량 RRAM 구현'이라는 제목으로 게재됐다고 밝혔다.