[뉴스토마토 안준영기자] 삼성전자는 세계에서 처음으로 40나노(㎚ · 1㎚는 10억분의 1m) 공정을 적용한 D램을 개발했다고 4일 발표했다. 40나노 제품은 50나노 공정으로 제작한 기존 D램보다 칩의 크기가 작아 소형 정보기술(IT) 기기에 적합하다. 생산 원가는 기존 제품보다 20% 이상 저렴하다.
삼성전자는 2005년 60나노,2006년 50나노 D램을 세계 최초로 선보인 데 이어 약 2년 만에 집적도를 높인 신제품을 내놓으며 세계 메모리 반도체 분야에서 기술 우위를 다시 한번 입증했다.
삼성전자가 이번에 내놓은 40나노 D램 제품은 1.2V 전력으로 동작이 가능하다. 1.5V를 사용하는 50나노 제품보다 소비전력을 30% 이상 줄일 수 있다. 생산성도 기존 제품에 비해 60%가량 높다. 회사 관계자는 "경쟁 업체들과의 기술격차가 1년 이상 늘어났다는 것이 자체적인 평가"라고 설명했다.
삼성전자 40나노 D램
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