[뉴스토마토 김민성기자] 삼성전자가 현존하는 최고속도의 D램보다 7배 이상 빠른 차세대 '4기가바이트(GB) HBM2(고대역폭메모리, High Bandwidth Memory) D램’을 본격 양산한다.
HSB D램은 TSV(실리콘관통전극) 기술을 적용해 D램 칩에 5000개 이상의 구멍을 뚫고 상하를 연결했다. TSV란 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다 얇게 깎은 다음 수백개의 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직 관통하는 전극 연결 기술을 뜻한다.
삼성전자 관계자는 19일 "이번 제품은 기존 1세대 규격보다 2배 이상 속도가 빠르며 초절전, 초슬림, 고신뢰성까지 갖춰 차세대 그래픽카드와 초고성능 컴퓨팅 환경에 적합하다"고 설명했다.
4GB HBM D램은 삼성전자의 최신 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) HBM2 D램 4개로 구성돼 있다. 또 1개의 버퍼칩 위에 4개의 코어칩을 쌓고 각 칩을 TSV 접합볼(Bump, 범프)로 연결했다.
삼성전자는 올해 상반기 중 이보다 용량을 2배 올린 8GB HBM D램도 양산할 계획이다. 전세원 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전무는 "차세대 HBM 라인업을 더욱 확대하고 글로벌 IT 고객들의 수요 증가세에 맞춰 HBM D램의 생산 비중을 확대할 것"이라고 말했다.
HBM2 D램의 단면도. 사진/삼성전자
김민성 기자 kms0724@etomato.com