[뉴스토마토 오세호기자]
삼성전자(005930) 종합기술원은 그래핀을 활용한 새로운 트랜지스터 구조를 개발했다고 18일 밝혔다.
이번에 개발된 새로운 트랜지스터 구조는 그래핀과 실리콘을 접합해 쇼키 장벽(Schottky Barrier)을 만들고 이 장벽의 높이를 조절하는 방법으로 전류를 켜고 끌 수 있게 한 것으로 세계적 권위의 학술지인 사이언스誌 온라인판에 미국 현지 시간 17일자로 게재됐다.
그래핀은 그동안 높은 전자 이동도를 갖고 있어 실리콘을 대체할 물질로 각광받아 왔으나 금속성을 지니고 있어 전류를 차단할 수 없는 점이 문제점으로 지적돼왔다.
삼성전자는 "이번 논문을 통해 그래핀 소자 연구의 최대 난제를 해결함으로써 추후 연구에 새로운 방향을 제시했고 관련 분야를 선도할 수 있는 기반을 구축한 것으로 평가되고 있다"고 설명했다.
현재 삼성전자 기술원은 그래핀 트랜지스터의 동작방식과 구조와 관련한 핵심 특허 9건을 확보하고 있다.
박성준 삼성전자종합기술원 연구원은 "이번 기술 개발이 향후 성공적으로 제품에 적용될 경우 속도는 100배 이상 높아지면서 전력 효율성 또한 개선될 수 있다"며 "그 외에 컴퓨터 시스템, 디스플레이 등 하이 퍼포먼스(High-Performance)가 필요한 영역에 기여할 것"이라고 설명했다.