SK하이닉스(000660)는 10일 20나노급 기술을 적용해 세계 최초로 '8Gb LPDDR3(Low Power DDR3)' 제품 개발에 성공했다고 밝혔다.

 

 

SK하이닉스에 따르면 고용량과 초고속, 저전력 특성을 고루 갖춘 이 제품은 4단으로 쌓으면 기존 4Gb 제품으로는 구성할 수 없었던 4기가바이트(GB) 고용량 제품을 한 패키지에서 구현할 수 있게 된다.

 

또 고용량 패키지 구성 시 패키지의 높이가 4Gb 단품에 비해 획기적으로 얇아져 모바일 기기의 최신 트렌드에 적합한 초박형 구성이 가능하다는 설명이다.

 

속도 측면에서는 기존 LPDDR3의 데이터 전송속도인 1600Mbps를 능가하는 2133Mbps를 구현하는데 성공함으로써 모바일 제품 중 최고속의 특성을 갖췄다.

 

처리할 수 있는 데이터의 양 또한 대폭 늘어났다. 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 싱글 채널(Single Channel)은 최대 초당 8.5GB, 듀얼 채널(Dual Channel)로 이용할 경우 17GB의 데이터를 처리할 수 있게 됐다.

 

또 초저전압인 1.2V의 동작전압을 갖춰 LPDDR2 대비 동작 속도는 2배가 개선됐고, 대기전력 소모도 LPDDR2 4Gb 대비 10% 이상 줄어 모바일 기기가 요구하는 저전력과 고성능의 특성을 모두 만족시켰다.

 

진정훈 SK하이닉스 마케팅본부장 전무는 "이번 20나노급 고용량 LPDDR3 제품 개발을 통해 모바일 기기에 적합한 최고의 성능을 갖춘 제품을 시장에 공급할 수 있게 됐다"며 "특히 동일한 미세공정을 적용해 PC용 제품과 병행 개발함으로써 모바일 제품에 대한 최고 수준의 기술경쟁력을 확보했다는데 의미가 있다"고 말했다.

 

SK하이닉스는 고객사들에게 해당 제품의 샘플 공급을 시작했으며, 양산은 올해 연말을 목표로 하고 있다.