[뉴스토마토 곽보연기자] 삼성전자가 업계 최초로 3차원 적층방식 낸드플래시인 'V낸드' 양산에 돌입한 데 이어 차세대 초고속 메모리 'DDR4'마저 양산 체제에 돌입하면서 프리미엄 메모리 시장 선점에서 한발 앞서게 됐다.
삼성전자(005930)는 30일 차세대 데이터센터의 엔터프라이즈 서버에 탑재될 최고 속도의 '20나노급 DDR4(Double Data Rate 4) 모듈' 양산에 돌입했다고 밝혔다. 이번에 양산되는 20나노급 DDR4 D램은 지난 2008년 '50나노급 DDR3 D램'이 개발된 이후 5년 만에 메인 메모리 시장을 전환하는 제품이다.
◇삼성전자는 차세대 데이터센터의 엔터프라이즈 서버에 탑재될 최고 속도의 '20나노급 DDR4(Double Data Rate 4) 모듈' 양산에 돌입했다고 30일 밝혔다.(사진제공=삼성전자)
세계 최소 칩 사이즈에 초당 데이터 처리속도가 2667Mb/s까지 구현되면서 '20나노급 DDR3 D램'과 비교해 소비전력을 30% 이상 감소시켰고, 속도는 1.25배 더 빨라졌다.
향후 삼성전자가 20나노급 DDR4 D램을 탑재한 '20나노급 32GB DDR4 모듈'을 본격 공급하게 되면서 기존 '30나노급 8GB DDR3 모듈'이 주를 이뤘던 서버시장은 DDR4 시장으로 빠르게 전환될 것으로 전망된다.
삼성전자에 따르면 엔터프라이즈 서버에 탑재되는 D램의 처리 속도를 높이면 시스템 처리 성능을 높이면서도 전체 소비 전력을 대폭 낮출 수 있고, 대용량 메모리를 통해 최소 비용으로 시스템 전체 성능을 극대화해 투자 효율도 높일 수 있다.
전영현 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅 팀장(부사장)은 "초고속 DDR4 모듈은 하반기 차세대 서버 탑재를 시작으로 프리미엄 메모리 시장에서 본격적인 수요를 창출해 나갈 것"이라며 "내년에는 두 배 용량의 32GB DDR4 모듈을 중점 공급해 글로벌 고객들이 그린 IT 시장을 확대시키는 데 기여할 것"이라고 말했다.