회로 선폭의 두께는 머리카락 굵기 2000분의 1가량이면서 전력소비량은 최대 40% 이상 줄일 수 있는 D램 반도체가 세계 최초로 개발됐다.

삼성전자는 이 같은 '50나노급 4기가비트(Gb) DDR(더블데이터레이트) 3D램' 개발에 성공했다고 29일 밝혔다. 지난해 9월 50나노 공정 2기가비트 DDR3 D램을 최초 개발한 이후 5개월 만에 2배 용량 제품을 만들어 낸 쾌거다.

이 제품은 공정을 줄여 제조 원가를 낮출 수 있다는 장점도 있다. 또한 전력사용량이 줄어들어 친환경적이다. 16기가바이트 D램 모듈을 제작할 경우 종전 2기가비트 D램을 사용하면 단품 72개를 탑재하지만 삼성전자가 이번에 개발한 4기가비트 D램을 사용하면 단품 36개로 만들 수 있기 때문에 40% 이상의 전력 소비를 줄일 수 있다는 것.

4기가비트 DDR3는 2기가비트에 비해 30%가량 전력을 절감할 수 있고 1기가비트에 비해서는 70%까지 전력 소비를 줄일 수 있다는 게 삼성측 설명이다.

삼성전자의 4기가비트 D램은 50나노 공정을 적용해 1.35볼트(V)에서 최대 1.6G?(1초당 1600메가비트)의 데이터 처리 속도를 구현한다. 이는 종전 DDR D램 1.5V 동작 대비 20%가량 속도가 빨라진 것이다.

그렇기에 이 제품은 그간 1Gb DDR2로 만들어졌던 대용량 서버용 메모리는 물론 데스크톱PC와 노트북PC시장까지 잠식해 나갈 것이란 분석까지 나오고 있다.

이 같은 강점을 토대로 50나노 4Gb DDR3 D램은 반도체시장에서의 세대교체를 앞당길 것으로 여겨지고 있다.

그간 반도체시장은 DDR1과 DDR2가 주류를 이뤄왔다. DDR3는 아직 시장점유율이 낮은 초기 단계다. 세계적인 반도체시장 조사기관인 IDC에 따르면 세계 D램시장에서 DDR3제품의 점유율은 3%가량이었다.

그러나 50나노 4Gb DDR3가 시장에 나오는 2010년 DDR3시장은 106억개로 D램 시장 전체에서 57%의 비중을 차지하는 등 가파른 성장세를 기록할 전망이다.

따라서 삼성전자의 50나노 4Gb DDR3는 내년 상용화를 계기로 DDR1·DDR2 위주의 D램시장을 DDR3로 전환하는 견인차 역할을 할 것으로 기대된다.

삼성전자 관계자는 "이번에 개발한 4기가비트 D램을 앞세워 DDR3시장에서 주도권을 지속적으로 유지하게 됐다"고 말했다.

 

 

<파이낸셜 뉴스>