[뉴스토마토 황민규기자] SK하이닉스(000660)가 업계 최초로 실리콘관통전극(TSV: Through Silicon Via) 기술을 적용한 초고속 메모리 반도체(HBM: High Bandwidth Memory) 개발에 성공했다. 내년 하반기부터 본격 양산에 돌입할 계획이다.

 

이 제품은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)에서 표준화를 진행 중인 고성능, 저전력, 고용량 D램 반도체로, 1.2볼트(V) 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있다. 총 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리도 가능하다.

 

현재 업계 최고속 제품인 GDDR5보다 4배 이상 빠르며, 특히 전력소비를 40% 가량 낮추며 효율성을 극대화했다. 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 전망이다.

 

SK하이닉스는 이번 HBM 제품에 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층했으며, 기술적 검증을 위해 그래픽 분야 선두 업체인 AMD(Advanced Micro Devices)와 공동 개발을 진행했다. 내년 상반기 중 샘플을 고객들에게 전달할 계획이며, HBM을 SoC(System on Chip)와 같이 탑재해 패키지 형태로 공급할 예정이다.

 

홍성주 SK하이닉스 DRAM개발본부장(전무)은 "TSV 기술을 활용한 HBM 제품의 내년 상용화를 시작으로 제품 포트폴리오를 강화해 메모리 시장에서 주도권을 지속 확보하겠다"고 밝혔다.