SK하이닉스가 개발한 128GB DDR4 모듈은 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용해 기존 최고 용량인 64GB의 두 배에 이르는 최대 용량을 구현했다. 속도는 기존 DDR3의 1333Mbps보다 대폭 향상된 2133Mbps로, 초당 17GB의 데이터 처리가 가능하다. 동작전압 역시 1.35볼트에서 1.2볼트로 낮아졌다.

 

최근 8Gb DDR4 기반 64GB 모듈 개발에 성공한 SK하이닉스는 이번에 128GB 개발까지 성공하며 앞선 D램 기술 리더십을 과시했다. 회사는 해당 제품을 주요 고객사들에게 샘플을 제공한 것으로 알려졌으며, 내년 상반기부터 본격 양산할 계획이다.

 

홍성주 SK하이닉스 D램 개발본부장(전무)는 “세계 최초로 128GB DDR4 모듈을 개발함으로써 초고용량 서버 시장을 열어간다는 데 의의가 있다”며 “향후에도 고용량, 초고속, 저전력 제품을 지속 개발해 프리미엄 D램 시장을 주도해 나갈 것”이라고 말했다.

 

한편 시장조사기관 가트너(Gartner)에 따르면, 서버용 D램 시장은 모바일 환경 확대에 따라 2018년까지 연 평균 37%에 이르는 고성장을 이어갈 것으로 관측된다. DDR4 D램의 경우 2014년 고객 인증을 시작으로 2015년부터는 시장이 본격화돼 2016년 이후에는 시장 주력 제품으로 자리매김할 전망이다.