[뉴스토마토 김민성기자] 삼성전자가 세계 최초로 최대 용량, 초절전 특성을 동시에 구현한 ‘128기가바이트(GB) 서버용 D램 모듈’ 양산에 돌입했다.

 

삼성전자(005930)는 26일 3차원 실리콘관통전극(TSV) 적층 기술을 이용 '128기가바이트(GB) 서버용 D램 모듈'을 본격 양산한다고 26일 밝혔다. TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎아 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 패키징 기술이다.

 

이 기술로 기존 와이어(금선)을 이용한 64기가바이트 D램 모듈에 비해 용량뿐만 아니라 속도도 2배 정도 빠른 2400Mbps를 구현하면서도 (최대 3200Mbps까지 가능) 소비전력량을 50%나 줄일 수 있다.

 

삼성전자는 올해 중에 TSV 기술을 적용해 '128기가바이트 DDR4 LRDIMM’ 제품도 양산해 'TSV 풀라인업'을 구축하고, 초고용량 D램 수요 증가세에 맞춰 20나노 8기가비트 D램의 생산 비중을 빠르게 늘려 제조 경쟁력을 한 단계 높인다는 전략이다.

 

최주선 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 " 128기가 D램 모듈 양산으로 글로벌 IT 고객들이 투자 효율성을 더욱 높인 차세대 서버 시스템을 적기에 출시할 수 있게 됐다"며, "향후 다양한 분야의 시장 선도 고객들과 기술 협력을 확대하고 글로벌 IT 시장 변화를 가속화해 소비자의 사용편리성을 높이는데 기여해 나갈 것"이라고 강조했다.

 

한편 삼성전자는 TSV 기술을 활용해 대역폭을 크게 끌어올린 차세대 초고속 컴퓨팅용 HBM(High Bandwidth Memory) 제품에 이어 컨슈머 시장용 제품도 적기에 양산해 차별화된 사업 위상을 더욱 강화시켜 나갈 예정이다.

 

 

 

김민성 기자 kms0724@etomato.com