[뉴스토마토 정해훈 기자] 삼성전자(005930) 업계 최초로 12나노급 D램을 개발해 2023년부터 양산에 돌입한다.

 

삼성전자는 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고, 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다. 12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미한다.

 

이번에 삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재를 적용해 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높이고, 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단의 공정을 완성했다.

 

또 멀티레이어 EUV(Extreme Ultra-Violet: 극자외선) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다. 12나노급 D램은 이전 세대 제품과 비교해 생산성이 약 20% 향상됐다.

 

DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다.

 

 

앞으로 삼성전자는 성능과 전력 효율을 개선해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 계획이며, 데이터센터, 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 방침이다.

 

삼성전자는 2023년부터 업계 최선단, 최고 성능의 12나노급 D램을 양산하고, 글로벌 IT 기업들과의 협력으로 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 예정이다.

 

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 이주영 부사장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것"이라며 "차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터, 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는 데 이바지할 것"이라고 말했다.

 

AMD 조 매크리(Joe Macri) 최고기술책임자(Corporate Fellow and Client and Compute and Graphics CTO)는 "기술의 한계를 뛰어넘는 혁신을 위해서는 업계 파트너 간 긴밀한 협력이 필요하다"며 "AMD의 젠(Zen) 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화하는 데 삼성과 협력해 기쁘다"고 밝혔다.

 

정해훈 기자 ewigjung@etomato.com