[뉴스토마토 오세은 기자] SK하이닉스(000660)가 기술 장벽의 한계로 여겨지던 낸드플래시 300단 벽을 또 넘었습니다. ‘적층 경쟁’이 치열한 메모리 반도체 기업들 사이에서 기술력을 앞세워 300단 시대를 최초로 엶과 동시에 다가올 업황 반등에 대비하는 차원으로 풀이됩니다.

 

10일 관련 업계에 따르면 SK하이닉스는 미국 산타클라라에서 열리고 있는 세계 최대 규모 낸드플래시 컨퍼런스인 ‘플래시 메모리 서밋 2023’에서 업계 최초로 321단 낸드플래시 개발 과정을 공개했습니다.

 

SK하이닉스는 지난해 열린 서밋에서 당시 업계 최고층인 238단 낸드플래시를 개발 완료했다고 밝힌 바 있지만, 기술 경과를 외부에 공개한 것은 이번이 처음입니다. 이를 두고 업계에선 챗GPT가 촉발한 생성형 AI 시장 확대로 더 많은 데이터를 더 빠르게 처리하는 고용량·고성능 반도체 수요 증가에, SK하이닉스가 300단대 낸드로 선제적 대응에 나섰다고 보고 있습니다. 업계 한 관계자는 “현존 최고층 단수를 쌓은 SK하이닉스가 완료가 아닌 과정을 공개한 것은 이미 적층 기술에 있어 자신감을 내비친 것 아니겠냐”고 말했습니다.

 

 

 

실제 글로벌 낸드플래시 시장에서 최고층 단수는 SK하이닉스의 238단 512Gb(기가비트) TLC 4D입니다. 시장점유율은 1위 삼성전자(005930) 2위 일본 키옥시아에 뒤지지만, 낸드 업계에서 기술 척도로 꼽히는 적층 기술력은 삼성(236단), 키옥시아(162단), 마이크론(232단) 보다 높습니다.

 

‘적층 기술’은 단수가 높을수록 같은 면적에 더 많은 데이터양을 확보할 수 있어 수율(완성품 중 양품 비율)과 함께 메모리 반도체 기술의 척도로 꼽힙니다. 메모리 반도체 업체들은 낸드의 경우 20나노미터부터 미세화 공정을 멈추고, 데이터를 저장하는 셀을 쌓는 적층 기술로 선회, 경쟁을 벌이고 있습니다. 낸드플래시는 D램과 달리 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 비휘발성 메모리 반도체로 전자기기, 클라우드, 데이터센터에 활용됩니다.

 

또 한 개의 셀에 몇 개의 정보(비트단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(싱글레벨셀), MLC(멀티레벨셀), TLC(트리플레벨셀), QLC(쿼터블레벨셀) 등으로 나뉘며, SK하이닉스 321단 샘플은 1Tb(테라비트) TLC 4D입니다.

 

SK하이닉스 관계자는 “양산중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다”며 “적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것”이라고 말했습니다.

 

SK하이닉스는 2020년 12월 176단 낸드 개발에 성공, 2년 뒤 미국 마이크론에 이어 200단 이상의 238단 낸드플래시 개발에 성공했습니다. 그리고 1년여 만인 이달 321단 1Tb TLC 4D 샘플을 공개했습니다. 회사는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터는 양산에 들어간다는 계획입니다.

 

최정달 SK하이닉스 부사장(NAND개발담당)은 서밋 기조연설에서 “4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술리더십을 공고히 할 계획”이라며 “AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 말했습니다. 

 

 

 

오세은 기자 ose@etomato.com