하이닉스는 업계 최초로 30나노급 공정을 적용한 고용량 4Gb DDR3 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다.
30나노급 D램은 기존 40나노급에 비해 생산성이 70%가량 향상, 원가경쟁력이 높아진다.
최대 2133Mbps의 데이터 처리속도를 구현해 기존 1333Mbps 제품보다 처리속도가 60% 가량 빨라졌다.
2133Mbps는 영화 3~4편에 해당되는 4.2GB 데이터를 1초만에 처리할 수 있는 속도다.
이번에 개발한 30나노급 4Gb DDR3 D램은 대용량 프리미엄 서버와 고사양 PC에서 요구하는 고용량ㆍ고성능ㆍ저전력 특성을 만족시키는 제품이다.
30나노급 2Gb D램은 1.25V의 초저전압과 친환경 기술을 적용, 40나노급 2Gb 제품보다 60% 이상 전력소모를 줄일 수 있다.
박성욱 하이닉스 연구개발제조총괄본부장(부사장)은 “하이닉스는 현재 전체 D램 생산량의 50% 가량을 2Gb 제품으로 생산하고 있다"며 "앞으로 고용량ㆍ고성능ㆍ저전력 제품 비중을 지속적으로 확대해 프리미엄 시장을 주도적으로 이끌어 나갈 것”이라고 말했다.
한편 시장조사기관 아이서플라이에 따르면 2Gb D램 비중은 올해 4분기 30% 수준에서 내년 3분기에는 50%를 넘어설 전망이다. 4Gb D램은 내년 말부터 시장이 형성돼 2014년에는 43%까지 비중이 확대될 것으로 예상된다.
뉴스토마토 손정협 기자 sjh90@etomato.com
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