26일 SK하이닉스에 따르면 지난달 48단 3D 낸드플래시 제품을 양산한 데 이어 72단 제품 개발을 내년 상반기 중 완료하고 하반기부터 경기 이천 사업장에서 본격 양산에 돌입할 계획이다. SK하이닉스 관계자는 "내년 하반기부터 72단 3D 낸드플래시 양산에 들어갈 것"이라고 말했다. 

 

낸드플래시는 휘발성 메모리인 D램과 달리 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 비휘발성 메모리 반도체다. 스마트폰을 비롯한 IT기기에 두루 쓰인다. 특히 최근에는 SSD(솔리드스테이트드라이브) 확대, 스마트폰 고용량화, 빅데이터 증가 등으로 3D 낸드 수요가 급증하는 추세다. 시장조사기관 IHS에 따르면 지난해 832억GB(기가바이트) 규모의 낸드플래시 시장은 오는 2020년 5084억GB 규모로 증가, 연평균 성장률이 44%에 달할 전망이다.

 

낸드플래시 수요 증가에 반도체 업계의 3D 낸드 기술 경쟁도 치열해지고 있다. 회로를 평면에 빽빽하게 배열하는 대신 수직으로 층층이 쌓아 올리는 3D 방식의 낸드플래시 기술은 단수를 쌓을수록 용량과 성능이 올라간다. 이러한 이유로 반도체 업체들도 낸드플래시 적층 공정 기술에 몰두하고 있는 것. 낸드플래시 업계 선두인 삼성전자(005930)는 지난 2013년 24단, 2015년 48단 3D 낸드를 세계 최초로 양산한 데 이어 내년에는 64단 양산에 돌입한다. 지난 8월 삼성전자는 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 플래시 메모리 서밋에서 차세대 V낸드 솔루션으로 64단 3D 낸드를 양산하겠다고 밝힌 바 있다. 업계 2위인 일본 도시바도 지난 7월 64단 3D 낸드 샘플을 공개하며 제품 양산을 공식화했다.

 

3D 낸드 양산을 위한 업계의 투자도 늘고 있는 추세다. IHS에 따르면 올해 글로벌 낸드플래시 투자액은 130억달러로 D램 투자액 118억달러를 앞섰다. 내년에는 낸드플래시 투자액이 올해보다 약 10% 증가한 142억달러를 기록할 전망이다. 실제 삼성전자는 2014년 중국 시안에 메모리 반도체공장을 준공한 데 이어 지난해 5월에는 15조6000억원을 투자해 평택에 반도체산업단지를 세우기로 했다. SK하이닉스도 2조2000억원을 투입해 충북 청주에 최첨단 반도체공장을 증설, 3D 낸드 양산에 본격 돌입한다는 방침이다. 도시바와 인텔 등 글로벌 기업도 중국 등 공장 증설에 나서면서 생산체제를 확보 중이다. 업계 관계자는 "낸드플래시 수요가 급증하면서 향후 시장 선점을 위한 3D 낸드 적층 기술 및 생산량을 끌어올릴려는 업체들의 경쟁은 더욱 치열해질 것"이라고 말했다.