[뉴스토마토 김광연 기자] 삼성전자(005930)가 갈수록 기술경쟁이 격화하고 있는 낸드플래시 부문에서 주도권을 이어가겠다고 자신했다.

 

송재혁 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장 부사장은 8일 삼성전자 뉴스룸 기고문에서 "이미 200단이 넘는 8세대 V(Vertical) 낸드 동작 칩을 확보한 상황으로 시장 상황과 고객들의 요구에 따라 적기에 제품을 선보일 수 있도록 만반의 준비를 하고 있다"고 밝혔다.

 

이어 "미래 1000단 V낸드 시대에도 삼성전자의 V낸드는 혁신적인 기술력을 기반으로 업계 최고의 신뢰성을 갖는 제품으로 계속 진화해 나갈 것"이라고 다짐했다.

 

그러면서 "업계 최소 셀 사이즈의 7세대 V낸드가 적용된 소비자용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품이 올해 하반기에 첫 출시가 될 계획"이라며 "7세대 V낸드는 4세대 PCIe 인터페이스(PCIe Gen 4) 뿐만 아니라, 향후 5세대(PCIe Gen 5)까지 성능 요구를 만족할 것으로 기대된다"고 덧붙였다.

 

 

송 부사장은 "삼성전자는 2013년 고심 끝에 수직으로 쌓아 올린 3차원 공간에 구멍을 내어 각 층을 연결하는 제품인 이른바 V낸드를 세계 최초로 개발했다"며 "당시 혁신이었던 3차원 수직 구조의 V낸드는 이제 반도체 업계의 표준처럼 보편화된 기술이 됐다"고 설명했다.

 

그러면서 "24단부터 시작된 V낸드의 단수는 현재 200단에 근접해 있다. 그동안 V낸드는 단수를 높여가며 진화해왔지만 무조건 쌓는 것만이 전부는 아니다"며 "삼성은 3차원 스케일링(3D Scaling) 기술을 통해 셀의 평면적과 높이를 모두 감소해 체적을 최대 35%까지 줄였다. 셀의 체적을 줄이면서 생길 수 있는 셀간 간섭현상도 제어하며 향후 높이의 물리적 한계를 극복할 수 있는 기반 기술을 확보했다"고 밝혔다.

 

이어 "업계에서 유일하게 한 번에 100단 이상을 쌓고 십억개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 싱글스택 에칭 기술력을 갖췄다"며 "즉 작은 셀 크기와 압도적인 싱글스택 에칭 기술력을 기반으로 향후 수백단 이상의 초고단 V낸드를 한발 앞서 구현할 수 있는 기술력을 확보하고 있다"고 덧붙였다.

 

김광연 기자 fun3503@etomato.com