[뉴스토마토 양지윤기자] 삼성전자가 세계 반도체 업계에서 처음으로 20나노급 D램 양산을 시작하며 한 발짝 앞서 나갔다.
삼성전자(005930)는 22일 경기도 화성에 위치한 나노시티 화성캠퍼스에서 '메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램·플래시 양산' 행사를 개최한다고 밝혔다.
이 날 행사에는 이건희 삼성전자 회장과 권오현 디바이스솔루션(DS)사업총괄 사장, 이재용 사장 등 주요 경영진과 소니 나카가와 유타카 부회장을 비롯한 글로벌 IT 업체 관계자 등 500여명이 참석한다.
최근 경기도 화성에 건립한 16라인은 이 달부터 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만매 이상 생산하며 본격 양산을 시작했다.
삼성전자는 올해 말까지 12인치 웨이퍼 생산 규모를 늘리는 한편 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획이다.
삼성전자는 이와 함께 이 날 세계 최초로 20나노급 2기가바이트(Gb) D램의 양산을 이 달부터 시작했다고 밝혔다.
20나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램보다 생산성을 약 50% 정도 높이고 소비 전력을 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품이다.
또한 올해 말에는 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후 4GBㆍ8GBㆍ16GBㆍ32GB 등 다양한 제품군을 본격적으로 선보일 계획이라고 밝혔다.
한편 이건희 회장은 반도체 사업에 각별한 관심을 기울이고 있다. 이 회장은 지난해 5월 경영 복귀 뒤 반도체 16라인 기공식 현장을 첫 방문지로 삼았다.
이 회장은 이 자리에서 "지금 세계 경제가 불확실하고 경영 여건의 변화도 심할 것으로 예상되지만, 이러한 시기에 투자를 더 늘리고 인력도 더 많이 뽑아서 글로벌 사업기회를 선점해야 삼성에도 기회가 오고 우리 나라 경제가 성장하는데도 도움이 될 것"이라고 말했다.
이 회장은 아울러 지난 8월 반도체 사장단과의 오찬에서 "D램의 뒤를 이을 차세대 메모리 개발 속도를 높여 메모리 분야에서도 차별화된 경쟁력으로 시장 리더십을 지켜야 한다"고 강조하기도 했다.