[뉴스토마토 곽보연기자] 반도체 최강자 삼성전자가 업계 최초로 45나노 임베디드 플래시(Embeded Flash) 로직 공정 개발과 이를 활용한 스마트카드 IC 테스트칩 개발에 성공했다.
삼성전자(005930)는 15일 데이터를 제어·처리하는 시스템 반도체 회로에 데이터를 기억할 수 있게 플래시메모리 회로를 넣은 임베디드 플래시 로직공정 개발에 성공했다고 밝혔다.
임베디드 플래시 로직공정을 채용하면 집적도와 전력효율을 높일 수 있어 가전제품과 모바일, 자동차 등 다양한 애플리케이션을 위한 제품에 적용할 수 있다.
◇삼성전자가 개발에 성공한 45나노 임베디드 플래시 로직공정 개념도(자료제공=삼성전자)
이번에 개발에 성공한 45나노 스마트카드 IC 테스트 칩은 기존 80나노 공정 제품보다 생산성이 높고 소모전력은 25% 절감했다. 또 내부 플래시 메모리에서 데이터를 읽어 오는데 걸리는 시간(Random Access Time)을 50%가량 줄였다.
삼성전자는 설계와 공정의 최적화 작업과 신뢰성 있는 기관의 보안성 테스트를 거쳐 내년 하반기께 45나노 임베디드 플래시 공정을 적용한 스마트카드IC를 양산할 예정이라고 밝혔다.
김태훈 삼성전자 시스템LSI 사업부 상무는 "이번 45나노 임베디드 플래시 로직 공정은 스마트카드와 NFC 등 다양한 보안 솔루션과 모바일 제품에 적용될 것"이라며 "다양한 제품군에서 첨단 공정을 우선적으로 적용해 종합 모바일 솔루션 공급자로서의 입지를 강화할 것"이라고 말했다.