미국 반도체 기업 인텔과 마이크론이 새로운 비휘발성 메모리 기술인 '3D 크로스 포인트'를 공개하고, 비휘발성 메모리분야에서 기술 혁신을 이룰 것이라 자신했다.

 

29일 인텔과 마이크론은 서울 코엑스 인터컨티넨탈호텔에서 기자간담회를 열고, 1989년 낸드 플래시가 소개된 이후 최초로 등장한 새로운 메모리 카테고리인 3D 크로스 포인트 기술을 통해 PC, 데이터 센터 등에서 성능 혁신이 가능할 것이라고 밝혔다.

 

인텔의 SSD 스토리지 솔루션 설계 담당인 찰스 브라운 박사는 "3D 크로스 포인트 기술은 새로운 비휘발성 메모리 기술로 인텔과 마이크론이 지난 10년간 공동 개발을 진행해 생산 직전 단계까지 오는 데 성공했다"며 "낸드플래시보다 속도는 1000배 빠르고, D램보다 10배 많은 용량의 데이터를 저장할 수 있다"고 말했다.

 

3D 크로스 포인트는 1280억개의 고밀도 메모리 셀을 수직의 전도체로 연결한 것으로, 메모리 셀이 워드 라인과 비트 라인의 교차점에 놓여 3차원의 바둑판 모양을 형성한다. 그 결과 미세한 단위로 데이터를 읽고 쓸 수 있어 빠르고 효율적인 읽기, 쓰기 프로세스가 가능하다.

 

양사는 2개의 메모리 층에 128기가바이트(GB)를 저장할 수 있는 형태로 내놓을 예정이며, 향후 층을 더욱 늘려 용량을 늘린다는 계획이다.

 

전세계에서 생성되는 데이터양은 2013년 4.4제타바이트(ZB)에서 2020년에는 44ZB로 증가할 것으로 예상된다. 인텔과 마이크론은 이런 환경에서 고용량을 빠르게 처리하는 기술이 의미있는 성과를 낼 것으로 기대하고 있다.

 

이 기술을 이용해 더 빠르게 금융 거래에서의 위조 적발 패턴을 찾을 수 있고, 실시간으로 대용량 데이터 셋을 처리하고 분석할 수 있어 유전 분석 등 복잡한 작업에서 속도를 높일 전망이다. 또 일반 PC의 경우 더 빠르게 소셜 미디어를 즐기고, 몰입형 게임 경험도 누릴 것으로 내다봤다.

 

현재 이 기술이 적용된 칩은 미국 유타주의 양사 합작 공장에서 시제품 생산에 들어갔으며, 대규모 양산은 2016년부터 진행될 예정이다.

 

브라운 박사는 "이 기술을 기반으로 어떤 제품을 개발할지는 차후에 공개할 것"이라며 "기존 적층메모리 기술과 완벽히 다르다고 할 수 없지만 연구차원이 아닌 생산단계로 진입했다는 데 의미가 크다"고 말했다.

 

이지은 기자 jieunee@etomato.com