[뉴스토마토 조재훈 기자] 삼성전자(005930)가 세계최초 3나노를 양산하면서 그간 TSMC에 밀렸던 주도권을 확보할 수 있을 지 관심이 모아진다. 

 

30일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 공정 기반의 초도 양산에 착수했다. 나노는 10억 분의 1을 뜻한다. 3나노미터는 대략 성인 머리카락 굵기의 5만분의 1에 해당한다. 현재 최첨단 공정은 4나노 수준이다. 따라서 삼성전자의 3나노 진입은 '2030 시스템반도체 1위 비전'에 한발 더 다가섰다는 평가를 받는다.

 

삼성전자는 2005년 파운드리 사업을 시작한 이후 2011년 32나노의 HKMG 공정 양산에 착수했다. 양산까지 6년이 걸린 셈이다. 5년 뒤인 2015년에는 업계 최초로 14나노 핀펫 공정 양산에 들어갔다. 이듬해 2016년에는 10나노 핀펫 공정을 업계 최초로 양산했으며 2019년부터는 EUV 장비 기반 7나노 공정 제품을 출하했다. 같은해 EUV 기반 5나노 공정 개발에도 성공했다.

 

전문가들은 통상 약 2~3년 정도 걸렸던 공정 기술 향상 사이클이 최근에는 EUV 노광장비 수급 등의 문제로 더 길어지고 있다고 진단한다.

 

이미혜 수출입은행 해외경제연구소 선임연구원은 "결국 선폭의 길이가 좁혀지는 건데 과거에는 로드맵을 정하고 개발에 착수하면 가능했던 부분이지만 최근에는 장비 수급 문제 등으로 기간이 더 늘어나고 있다"고 말했다. 이어 "세계 최초 3나노라고 하는 것은 '기술 마케팅'에 있어서도 중요한 부분"이라며 "우리가 기술을 가지고 있고 비교우위에 있다는 것을 보여줄 수 있고 이를 위해서는 선제적인 기술 개발이 요구된다"고 덧붙였다.

 

 

업계에서는 삼성전자가 당분간 3나노 공정 체제에서 기술 우위를 유지할 수 있을 것이란 분석이 제기된다. 실제로 파운드리 시장 1위 TSMC는 연말 생산을 앞둔 3나노 공정까지 기존의 핀펫 트랜지스터 기술을 적용할 예정이다. GAA는 2025년 2나노 공정부터 도입하겠다는 계획이다. 이는 삼성전자와 비교하면 기술력 도입 시차가 최소 3년 이상 벌어지는 셈이다.

 

일각에서는 TSMC 보다 인텔의 추격이 문제라는 목소리도 나온다. 인텔은 네덜란드 ASML의 하이 뉴메리컬어퍼처(High NA) EUV 노광장비인 트윈스캔 EXE:5200 5대를 2024년 독점적으로 공급받게 된다. 해당 EUV 장비는 인텔이 2024년 양산을 계획하고 있는 1.8나노 공정에 사용될 예정이다.

 

삼성전자도 지난 14일 이재용 부회장이 네덜란드 ASML 본사를 찾아 해당 장비 구매 계약을 체결한 것으로 알려졌다. 따라서 인텔에 장비가 공급된 이후 삼성전자도 물량을 전달 받을 수 있을 것으로 예상된다.

 

조재훈 기자 cjh1251@etomato.com