이건희 삼성전자(005930) 회장이 지난 8월 반도체 사장단과의 오찬에서 한 발언이 그대로 실행에 옮겨졌다. 삼성전자가 반도체업계에서 처음으로 20나노급 D램 양산에 돌입하면서 후발 업체들을 맹렬한 기세로 따돌리고 있다.

 

하이닉스(000660)도 내년 초부터 양산에 들어간다는 계획이어서 국내 반도체 1,2위 업체의 독주체제가 공고해질 전망이다.

 

삼성전자는 22일 세계 최초로 20나노급 공정을 적용한 2기가바이트(Gb) 용량 D램 양산을 시작한다고 밝혔다.

 

삼성전자는 지난해 7월부터 30나노급 D램 양산을 반도체 업계에서 가장 먼저 시작해 기술력이 앞선다는 평가를 받았다.

 

특히 20나노급 D램 양산 소식은 반도체 업계가 바닥에 놓여 있는 가운데 나온터라 큰 의미를 지닌다. 전문가들은 "해외 업체보다 원가 경쟁력과 기술력이 앞서 있다는 것을 증명한 것"이라고 평가했다.

 

삼성전자가 양산을 시작한 20나노급 D램은 기존 30나노급 D램보다 생산성이 50% 향상됐다. 웨이퍼를 가공해 얻을 수 있는 반도체 칩의 수가 늘어난 때문이다. 이는 삼성전자가 원가 경쟁력을 확보하는 동시에 반도체 가격의 추가 하락을 막는 카드를 마련한 것으로 풀이된다.

 

반면 대만과 일본 업체들은 허리띠를 졸라매고 있다.

 

지난 8월말 반도체 가격이 원가에 근접하는 수준으로 떨어지자 대만의 난야와 파워칩은 재고와 원가 부담을 이기지 못하고 이달 초 감산을 단행했다.

 

또 업계 3위인 엘피다는 일본 히로시마 공장의 설비를 대만 자회사인 렉스칩으로 옮겨 생산능력의 40%를 대만에서 소화하도록 했다.

 

한편 하이닉스도 연말까지 20나노급 D램 개발을 마치고, 내년초 본격 양산에 돌입할 계획이다.

 

국내 업체들이 동시에 20나노급 D램 양산에 돌입할 경우 30~40나노급 D램이 주력인 해외 업체들의 원가부담은 한층 더 가중될 전망이다.

 

이재윤 키움증권 연구원은 "삼성전자의 20나노급 D램 양산으로 대만 업체들의 감산과 퇴출 시기가 더욱 앞당겨져 공급 축소로 이어질 것"이라며 "내년에 삼성전자와 하이닉스의 승자독식 체제 굳히기가 마무리 될 것"이라고 분석했다.