삼성전자(005930)는 11일 기존 2세대(32단) 128기가비트(Gb) 낸드보다 용량을 2배 향상한 '256Gb 3차원 V낸드' 양산에 성공했다고 밝혔다.

 

256Gb V낸드는 데이터를 저장하는 3차원 셀(Cell)을 기존 32단보다 1.5배 더 쌓아 올리는 3세대(48단) V낸드 기술이 적용된 업계 최고 용량의 메모리 칩이다.

 

256Gb V낸드는 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트(GB) 용량의 메모리카드를 만들 수 있다. 또 기존 128Gb 낸드가 적용된 SSD와 동일 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있어 테라 SSD 대중화를 위한 최적의 솔루션을 제공한다.

 

특히 3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조와 48단 수직 적층 공정, 3비트 저장기술을 적용해 2세대 V낸드보다 데이터를 더욱 빠르게 저장하며 소비 전력량은 30% 이상 줄였다.

 

기존 32단 양산 설비를 최대한 활용함으로써 제품 생산성을 약 40%나 높여 원가 경쟁력을 대폭 강화한 점도 특징적이다.

 

삼성전자는 지난달 2테라바이트(TB) SSD 제품 출시를 계기로 본격 추진하고 있는 테라 SSD 대중화를 더욱 앞당기기 위해 3세대 V낸드 생산을 위한 투자를 계획대로 추진해 나갈 예정이다.

  

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 "3세대 V낸드 양산으로 글로벌 기업과 소비자들에게 더욱 편리한 대용량 고효율 스토리지 솔루션을 제공할 수 있게 됐다"며 "앞으로 V낸드 기술의 우수성을 최대로 발휘할 수 있는 초고속 프리미엄 SSD 시장에서 사업 영역을 지속 확대하며 독보적인 사업 위상을 유지해 나갈 것"이라고 말했다.

  

 

이지은 기자 jieunee@etomato.com