[뉴스토마토 김민성기자] 삼성전자가 세계 최초로 '10나노급' D램 시대를 열었다. 반도체 공정의 '벽'으로 인식되던 10나노급 D램을 양산하면서 중국과의 기술 격차도 벌렸다. 

 

5일 삼성전자(005930)에 따르면 지난 2월부터 회로 18나노 8Gb(기가비트) DDR4 D램 양산에 돌입했다. 삼성전자가 양산하는 18나노 D램은 기존 20나노 D램보다 데이터 전송속도는 30% 이상 빠르며, 소비전력도 10~20% 절감할 수 있다. D램의 경우 미세공정이 고도화될수록 하나의 웨이퍼에 더 정교하게 회로를 넣을 수 있어 생산성이 높아지고 소비전력은 줄어든다. 

 

삼성전자는 낸드플래시 양산에 적용한 '사중 포토 노광 기술'을 D램에도 적용했다. 이를 통해 한 번의 포토공정으로 초미세 패턴을 4배 이상 만들 수 있다. 차세대 10나노급(1y) D램도 적기에 양산할 수 있는 기반 기술도 확보했다는 평가다.

 

10나노급 D램 양산은 삼성전자의 ‘초격차' 전략에 힘을 보탠다. SK하이닉스(000660), 마이크론 등 경쟁사와의 격차가 3~5년 정도로 벌어졌다. SK하이닉스는 지난해 하반기부터 20나노 초반대 공정을 도입했고, 미국 마이크론은 여전히 20나노대 초반 D램 개발에 머물러 있다.

 

삼성전자는 올해 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC, 서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장 지배력도 강화한다는 전략이다. 전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 "10나노급 D램은 글로벌 IT 고객들에게 최고 효율의 시스템 투자 솔루션을 제공할 것"이라며  "차세대 초고용량 초절전 모바일 D램 출시를 통해 모바일 시장 선도기업들이 더 혁신적인 제품을 적기에 출시해 글로벌 소비자의 사용 편리성을 대폭 향상하는 데 기여할 것"이라고 말했다.

 

 

김민성 기자 kms0724@etomato.com